SSD 3,8TB Samsung M.2 PCI-E NVMe Gen4 PM9A3 bulk

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    Die Samsung SSD PM9A3 bietet eine herausragende Leistung mit sofortiger Reaktionsfähigkeit auf das Host-System, indem sie den Schnittstellenstandard Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 sowie das hocheffiziente Non-Volatile Memory Express (NVMe)-Protokoll verwendet.
    Durch die Kombination des zuverlässigeren Samsung NAND-Flash-Speicher-Siliziums mit NAND-Flash-Verwaltungstechnologien bietet die Samsung SSD PM9A3 eine verlängerte Lebensdauer von bis zu 1,3 Schreibvorgängen pro Tag über einen Zeitraum von drei Jahren, was für Unternehmensanwendungen geeignet ist.
    Darüber hinaus unterstützt die Samsung SSD PM9A3 Power Loss Protection (PLP). Die PLP-Lösung kann garantieren, dass die vom Hostsystem ausgegebenen Daten im Falle eines plötzlichen Stromausfalls oder einer plötzlichen Stromunterbrechung verlustfrei auf das Speichermedium geschrieben werden.


    Bitte beachten Sie: Die Herstellergarantie des Artikels umfasst grundsätzlich alle Mängel, die innerhalb der Garantiezeit entstehen und nicht von Ihnen verursacht wurden. Die Garantieleistung des Herstellers erstreckt sich räumlich mindestens auf das Land der Bundesrepublik Deutschland. Bitte wenden Sie sich im Garantiefall an den Garantiegeber. Die Kontaktdaten für den entsprechenden Garantieanspruch entnehmen Sie bitte unserer Herstellerübersicht. Gesetzliche Gewährleistungsrechte werden durch eine zusätzliche Herstellergarantie nicht eingeschränkt.
    Allgemein
    Gerätetyp
    Solid State Drive - intern
    Kapazität
    3.84 TB
    Hardwareverschlüsselung
    Ja
    Verschlüsselungsalgorithmus
    256-bit AES-XTS
    NAND-Flash-Speichertyp
    Multi-Level-Cell (MLC)
    Formfaktor
    M.2 22110
    Schnittstelle
    PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    Byte pro Sektor
    512
    Merkmale
    V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
    Breite
    22 mm
    Tiefe
    110 mm
    Höhe
    3.8 mm
    Gewicht
    20 g
    Leistung
    Interner Datendurchsatz
    5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben)
    4 KB Random Read
    800000 IOPS
    4 KB Random Write
    85000 IOPS
    Zuverlässigkeit
    MTBF
    2,000,000 Stunden
    Nicht-korrigierbare Datenfehler
    1 pro 10^17
    Erweiterung und Konnektivität
    Schnittstellen
    PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
    Kompatibles Schaltfeld
    M.2 22110
    Stromversorgung
    Energieverbrauch
    8.2 Watt (Lesen) ¦ 8.2 Watt (Schreiben) ¦ 2.5 Watt (Leerlauf)
    Verschiedenes
    Kennzeichnung
    TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM
    Umgebungsbedingungen
    Min Betriebstemperatur
    0 °C
    Max. Betriebstemperatur
    70 °C
    Min. Lagertemperatur
    -40 °C
    Max. Lagertemperatur
    85 °C
    Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
    5 - 95 % (nicht kondensierend)
    Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
    1500 g
    Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
    20 g @ 10-2000 Hz